Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)

Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)

2SK4145-S19-AY MOSFET N-ch NEC 2SK4145 K4145 60V 80A TO220 (17812)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 0 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85 Корпус транзистора: TO92
14,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-10312
Описание

Транзисторы SS8050 TO 92.

Технические характеристики

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 0
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
  • Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
  • Корпус транзистора: TO92

Подробнее о товаре
bg-10312

Характеристики

Полярность
NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)
1
Тип материала
Si
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb)
40
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)
25
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic)
1.5
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft)
100
Статический коэффициент передачи тока (hfe)
85
Корпус транзистора
TO92
Предельная температура PN-перехода (Tj), град
150
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
В корзину
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)

756,00 грн
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новыйДанный вид транзистора используется в качестве выходного каскада в системах РЭБ.Технические характеристикиНазвание прибора: BLF6G10S-45КТип транзистора:...
В корзину
Поделиться
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
В корзину
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)

42,00 грн
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип транзистора IGBT Напряжение коллектор-эмиттер 600В Ток...
В корзину
Поделиться
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
В корзину
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)

10,00 грн
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18075)
В корзину
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18075)

14,00 грн
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FQP19N20CТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 WПредельно...
В корзину
Поделиться
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
В корзину
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)

51,00 грн
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование: CRG40T60AN3HМаркировка: G40T60AN3HТип...
В корзину
Поделиться
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)
В корзину
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)

14,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти