Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 Japan PNP 230V 15A TO-264 (18300)
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 Japan PNP 230V 15A TO-264 (18300)
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 Japan PNP 230V 15A TO-264 (18300)
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 Japan PNP 230V 15A TO-264 (18300)

Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 Japan PNP 230V 15A TO-264 (18300)

Транзистор биполярный Toshiba TTA1943 Japan PNP 230V 15A TO-264 (18302)
Транзистор FQPF4N90C N-CH 900V 4A TO-220F (18271)
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 Japan PNP 230V 15A TO-264.
83,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18300
Описание
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 Japan PNP 230V 15A TO-264.
Подробнее о товаре
bg-18300

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
В корзину
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)

19,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
В корзину
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)

15,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
В корзину
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)

54,00 грн
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
В корзину
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)

14,00 грн
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225.Технические характеристикиПроизводитель:International Rectifier (IR)Корпус:DPAKСтруктура:NСхема соединения:ОдиночныйV(BR)DSS - напряжение пробоя...
В корзину
Поделиться
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал (18077)
В корзину
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал (18077)

10,00 грн
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: CJE13007Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
В корзину
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)

17,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
В корзину
Поделиться
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
В корзину
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)

22,00 грн
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новыхТехнические характеристикиНаименование прибора: HY3712BТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти