Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)

Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)

Транзистор триод C2075 2SC2075 TO-220 NPN 80V 4A 10W (18873)
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A TO220 (16653)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75 Корпус транзистора: X10
9,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-11683
Описание
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75 Корпус транзистора: X10
Подробнее о товаре
bg-11683

Характеристики

Наименование производителя
BC557 Тип материала
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)
В корзину
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)

31,00 грн
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов. Принцип работы термостата (термореле) KSD-01F с суффиксом H, замыкать электрическую цепь при достижении температуры срабатывания на своем корпусе. Обратите...
В корзину
Поделиться
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
В корзину
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)

3,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
В корзину
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)

20,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
В корзину
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)

55,00 грн
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C...
В корзину
Поделиться
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
В корзину
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

15,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
Поделиться
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
В корзину
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)

10,00 грн
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти