Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)

Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428WПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80AКорпус: TO247
45,00 грн
Артикул:
bg-19214
Описание
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Тип управляющего канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428W
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5V
  • Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A
  • Корпус: TO247
Подробнее о товаре
bg-19214

Характеристики

Корпус
TO247
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)
428W
Тип управляющего канала
N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)
600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat)
1.5V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic)
80A
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
14,00 грн
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование прибора: HY3408AТип транзистора: MOSFETПолярность:...
9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
В корзину
6,00 грн
Транзистор S9012 К-92 PNP. Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
65,00 грн
Название прибора: NCEP15T14DТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность: 340 ВтПредельно допустимое напряжение сток-сток: 150 ВПредельно допустимое напряжение затвор-сток: 20 ВМаксимально...
45,00 грн
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная...
В корзину
9,00 грн
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение: 75 ВТок: 80 АRDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 АСверхнизкое сопротивлениеИсключительные возможности DV /...
В корзину
14,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
17,00 грн
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
49,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры