Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)

Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)

Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428WПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80AКорпус: TO247
45,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19214
Описание
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Тип управляющего канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428W
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5V
  • Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A
  • Корпус: TO247
Подробнее о товаре
bg-19214

Характеристики

Корпус
TO247
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)
428W
Тип управляющего канала
N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)
600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat)
1.5V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic)
80A
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
В корзину
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)

14,00 грн
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование прибора: HY3408AТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
В корзину
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)

9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
В корзину
Поделиться
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
В корзину
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)

6,00 грн
Транзистор S9012 К-92 PNP. Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться
В корзину

65,00 грн
Название прибора: NCEP15T14DТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность: 340 ВтПредельно допустимое напряжение сток-сток: 150 ВПредельно допустимое напряжение затвор-сток: 20 ВМаксимально...
В корзину
Поделиться
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
В корзину
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)

45,00 грн
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
В корзину
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)

9,00 грн
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение: 75 ВТок: 80 АRDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 АСверхнизкое сопротивлениеИсключительные возможности DV /...
В корзину
Поделиться
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
В корзину
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

14,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
Поделиться
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
В корзину
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)

17,00 грн
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
Поделиться
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)
В корзину
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)

49,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти