Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)

Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428WПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80AКорпус: TO247
50,00 грн
Артикул:
bg-19214
Описание
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Тип управляющего канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428W
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5V
  • Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A
  • Корпус: TO247
Подробнее о товаре
bg-19214

Характеристики

Корпус
TO247
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)
428W
Тип управляющего канала
N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)
600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat)
1.5V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic)
80A
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
7,00 грн
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92. Технические характеристики Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная мощность (Pc): 0.07 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 Макcимально допустимое...
В корзину
19,00 грн
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение...
В корзину
65,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
В корзину
75,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...
В корзину
16,00 грн
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.Наименование: IRF3710Тип транзистора:...
В корзину
54,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
14,00 грн
Регулируемый прецизионный стабилизатор напряжения TL431. Внутри находится обычный операционный усилитель ОУ (треугольник на блок-схеме) с выходным транзистором и источником опорного напряжения. Только здесь эта схема...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры