Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)

Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H12Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 80 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 20 V|пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 120 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 163 nCВремя роста (tr): 24 nsВыходная емкость (Cd): 520 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.006 OhmТип корпуса: TO220
13,00 грн
Артикул:
bg-19220
Описание
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: NCE80H12
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 80 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 20 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 120 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 163 nC
  • Время роста (tr): 24 ns
  • Выходная емкость (Cd): 520 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
  • Тип корпуса: TO220
Подробнее о товаре
bg-19220

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
8,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
В корзину
26,00 грн
Транзистор системы зажигания 90N04 под BMW.Транзистор 90N04, используется для ремонта и восстановления поврежденных элементов системы зажигания в автомобильных блоках управления DME BMW N13, N20,N55.
18,00 грн
Транзистор полевой IRF530 MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А Заряд...
56,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
В корзину
13,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры