Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)

Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H12Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 80 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 20 V|пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 120 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 163 nCВремя роста (tr): 24 nsВыходная емкость (Cd): 520 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.006 OhmТип корпуса: TO220
14,00 грн
Артикул:
bg-19220
Описание
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: NCE80H12
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 80 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 20 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 120 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 163 nC
  • Время роста (tr): 24 ns
  • Выходная емкость (Cd): 520 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
  • Тип корпуса: TO220
Подробнее о товаре
bg-19220

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
220 W
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
163 nC
Выходная емкость (Cd)
520 pf
Время роста (tr)
24 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.006 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
NCE80H12
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
18,00 грн
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение...
В корзину
3,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
12,00 грн
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10 Максимальное...
В корзину
9,00 грн
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры