Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)

Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для управления питанием от батареи.Технические характеристикиТип транзистора:P-MOSFETТехнология:PowerTrench®Поляризация:униполярнаяНапряжение сток-исток:12ВТок стока:6,7АРассеиваемая мощность:52 ВтКорпус:ТО252Напряжение затвор-исток:± 8 ВСопротивление в открытом состоянии:90 мОмМонта6 SMDЗаряд затвора:21 нКл
15,00 грн
Артикул:
bg-16658
Описание
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.
В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для управления питанием от батареи.
Технические характеристики Тип транзистора:P-MOSFET Технология:PowerTrench® Поляризация:униполярная Напряжение сток-исток:12В Ток стока:6,7А Рассеиваемая мощность:52 Вт Корпус:ТО252 Напряжение затвор-исток:± 8 В Сопротивление в открытом состоянии:90 мОм Монта6 SMD Заряд затвора:21 нКл
Подробнее о товаре
bg-16658

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
11,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
В корзину
9,00 грн
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: TK80E08K3Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 WПредельно...
В корзину
10,00 грн
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: CJE13007Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое...
В корзину
14,00 грн
Регулируемый прецизионный стабилизатор напряжения TL431. Внутри находится обычный операционный усилитель ОУ (треугольник на блок-схеме) с выходным транзистором и источником опорного напряжения. Только здесь эта схема...
В корзину
13,00 грн
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10 Максимальное...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры