8,00 грн
Транзистор MOS N-Ch NCE0106Z NCE0106 100V 6A TO-92.
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 (12820)
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование: FDL100N50FТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2500 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 238 nCСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 OhmТип корпуса: TO264Аналог (замена) для FDL100N50F
206,00 грн
Артикул:
bg-12820
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.
Технические характеристики Наименование: FDL100N50F Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2500 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 238 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm Тип корпуса: TO264 Аналог (замена) для FDL100N50F
Технические характеристики Наименование: FDL100N50F Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2500 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 238 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm Тип корпуса: TO264 Аналог (замена) для FDL100N50F
bg-12820
Характеристики
- Полярность
- N
- Тип корпуса
- TO264
- Тип транзистора
- MOSFET
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
- 2500 W
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
- 0.055 Ohm
- Максимальная температура канала (Tj)
- 150 °C
- Общий заряд затвора (Qg)
- 238 nC
- Наименование
- FDL100N50F
- Корзина
- 0 Корзина
- Обновление склада
- 01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
В этой категории 16 товаров:
9,00 грн
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое...
34,00 грн
Транзистор IGBT FGA25N N-ch 1200V 25A. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
10,00 грн
Транзистор HY1808 HY1808P 80NF70 75V 85A. Технические характеристики 75V/85A RDS(ON)= 8 m Ω (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)
41,00 грн
Транзистор D2PAK TO-263-3 FDB082N15A MOSFET N-CH 150V 117A.
13,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...
14,00 грн
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое...
54,00 грн
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247.Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллектор:40А Рассеиваемая мощность:116Вт Корпус:TO247-3 Напряжение затвор - эмиттер:±20В Ток коллектора...
17,00 грн
Транзистор FQPF7N65C 7N65C N-канал 650V 7A TO-220F.
10,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
53,00 грн
Транзистор IGBT H30R1203 1200V 30A TO-247.
51,00 грн
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247.
63,00 грн
Транзистор FDA59N30 MOSFET N-CH 300V 59A TO-3PN.
19,00 грн
Транзистор регулятор напряжения MRF477 TO-220 триод NPN-канал.
14,00 грн
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах...
&media=https://electricbike.com.ua/6785-large_default/tranzistor-mos-n-ch-nce0106z-nce0106-100v-6a-to-92-18162.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/11261-large_default/bipolyarnyj-tranzistor-bc557-p-n-p-to-92-kt3107-5sht-11683.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/8520-large_default/tranzistor-igbt-fga25n-n-ch-1200v-25a-15054.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/6424-large_default/tranzistor-hy1808-hy1808p-80nf70-75v-85a-11494.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/6704-large_default/tranzistor-d2pak-to-263-3-fdb082n15a-mosfet-n-ch-150v-117a-16031.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/11295-large_default/bipolyarnyj-tranzistor-mje2955-pnp-90v-10a-to126-12515.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/6213-large_default/tranzistory-ss8050-to-92-10sht-10312.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/11438-large_default/tranzistor-fgh40n60npfd-igbt-n-channel-600v-40a-to247-17065.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/11497-large_default/tranzistor-fqpf7n65c-7n65c-n-kanal-650v-7a-to-220f-18277.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/6236-large_default/tranzistor-bipolyarnyj-bc547-npn-45-v-100-ma-5sht-10486.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/6690-large_default/tranzistor-igbt-h30r1203-1200v-30a-to-247-18264.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/11161-large_default/tranzistor-polevoj-igbt-ikw30n60t-k30t60-600v-30a-to-247-19293.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/6702-large_default/tranzistor-fda59n30-mosfet-n-ch-300v-59a-to-3pn-18261.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/11140-large_default/tranzistor-regulyator-napryazheniya-mrf477-to-220-triod-npn-kanal-18871.jpg){kind=link}
&media=https://electricbike.com.ua/11416-large_default/polevoj-tranzistor-s-zatvorom-irf540n-mosfet-11128.jpg){kind=link}
16,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
&media=https://electricbike.com.ua/11307-large_default/p-kanalnyj-mop-tranzistor-mosfet-irf9540n-11129.jpg){kind=link}
Оставьте отзыв