Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 (12820)

Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование: FDL100N50FТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2500 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 238 nCСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 OhmТип корпуса: TO264Аналог (замена) для FDL100N50F
223,00 грн
Артикул:
bg-12820
Описание
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.
Технические характеристики Наименование: FDL100N50F Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2500 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 238 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm Тип корпуса: TO264 Аналог (замена) для FDL100N50F
Подробнее о товаре
bg-12820

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO264
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
2500 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.055 Ohm
Наименование
FDL100N50F
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
238 nC
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
22,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
14,00 грн
Регулируемый прецизионный стабилизатор напряжения TL431. Внутри находится обычный операционный усилитель ОУ (треугольник на блок-схеме) с выходным транзистором и источником опорного напряжения. Только здесь эта схема...
В корзину
9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40...
В корзину
50,00 грн
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная...
В корзину
98,00 грн
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FGH60N60SMDТип управляющего канала: N-ChannelПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение...
В корзину
16,00 грн
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.Наименование: IRF3710Тип транзистора:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры