Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 (12820)

Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование: FDL100N50FТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2500 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 238 nCСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 OhmТип корпуса: TO264Аналог (замена) для FDL100N50F
197,00 грн
Артикул:
bg-12820
Описание
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.
Технические характеристики Наименование: FDL100N50F Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2500 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 238 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm Тип корпуса: TO264 Аналог (замена) для FDL100N50F
Подробнее о товаре
bg-12820

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Полярность
N
Тип корпуса
TO264
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
2500 W
Наименование
FDL100N50F
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
238 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.055 Ohm
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
 
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
36,00 грн
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТок – коллектор (Ic) (макс.) – 60 АИмпульсный ток коллектора...
В корзину
28,00 грн
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов. Принцип работы термостата (термореле) KSD-01F с суффиксом H, замыкать электрическую цепь при достижении температуры срабатывания на своем корпусе. Обратите...
В корзину
8,00 грн
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: TK80E08K3Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 WПредельно...
10,00 грн
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A. Транзисторы выпаянные с плат, могут иметь короткие ножки, перед отправкой проверяем LCR-тестером.Наименование: IRFB3607Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная...
В корзину
15,00 грн
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.Наименование: IRF3710Тип транзистора:...
9,00 грн
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстрая скорость переключения Коллектор - Base Voltage - VCBO - 60 В Коллектор - эмиттер - VCEO -...
58,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
1234

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры