Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)

Транзистор S9013 NPN TO-92. Технические характеристики Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120 Корпус транзистора: SOT23
13,00 грн
Артикул:
bg-10142
Описание

Транзистор S9013 NPN TO-92.

Технические характеристики

  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
  • Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
  • Корпус транзистора: SOT23
Подробнее о товаре
bg-10142

Характеристики

Полярность
NPN
Корпус транзистора
SOT23
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb)
40
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)
25
Предельная температура PN-перехода (Tj), град
150
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft)
150
Статический коэффициент передачи тока (hfe)
120
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)
0.3
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic)
0.5
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb)
5
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
49,00 грн
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование: CRG40T60AN3HМаркировка: G40T60AN3HТип...
В корзину
5,00 грн
Транзистор S9012 К-92 PNP. Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение...
18,00 грн
Транзистор полевой IRF530 MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А Заряд...
В корзину
14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
13,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
12,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры