Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)

Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 88 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 65 nCВремя нарастания (tr): 15 nsВыходная емкость (Cd): 340 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 OhmТип корпуса: TO220
8,00 грн
Артикул:
bg-18080
Описание
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: RU6888R
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 88 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 65 nC
  • Время нарастания (tr): 15 ns
  • Выходная емкость (Cd): 340 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
  • Тип корпуса: TO220
Подробнее о товаре
bg-18080

Характеристики

Тип корпуса
TO220
Полярность
N
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
120 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.008 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
65 nC
Время нарастания (tr)
15 ns
Выходная емкость (Cd)
340 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Наименование прибора
RU6888R
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
9,00 грн
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:...
В корзину
27,00 грн
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd – Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт |Vds| – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 В |Vgs| – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 В |Vgs(th)| –...
59,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
27,00 грн
Транзистор G30T60 IGW30N60T IGBT 600V 60A TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IGW30N60T Маркировка: G30T60 Тип управляющего...
9,00 грн
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 100 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В Максимально...
32,00 грн
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.Технические характеристикиСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-виток: 55ВМаксимальный...
В корзину
18,00 грн
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение...
27,00 грн
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип...
В корзину
36,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры