Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)

Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)

Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 88 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 65 nCВремя нарастания (tr): 15 nsВыходная емкость (Cd): 340 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 OhmТип корпуса: TO220
8,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18080
Описание
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: RU6888R
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 88 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 65 nC
  • Время нарастания (tr): 15 ns
  • Выходная емкость (Cd): 340 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
  • Тип корпуса: TO220
Подробнее о товаре
bg-18080

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
120 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.008 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
65 nC
Выходная емкость (Cd)
340 pf
Время нарастания (tr)
15 ns
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Наименование прибора
RU6888R
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
В корзину
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)

18,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
В корзину
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)

14,00 грн
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225.Технические характеристикиПроизводитель:International Rectifier (IR)Корпус:DPAKСтруктура:NСхема соединения:ОдиночныйV(BR)DSS - напряжение пробоя...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал (18070)
В корзину
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал (18070)

36,00 грн
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: K2837Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 271 WПредельно...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
В корзину
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)

13,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
В корзину
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)

3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
В корзину
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)

15,00 грн
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.Наименование: IRF3710Тип транзистора:...
В корзину
Поделиться
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
В корзину
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)

14,00 грн
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти