Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)

Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)

Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220 (12518)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,15 А Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,4 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером: 70 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: 80 МГц
9,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-12605
Описание
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,15 А Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,4 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером: 70 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: 80 МГц
Подробнее о товаре
bg-12605

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
В корзину
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)

3,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
В корзину
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)

12,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
В корзину
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)

35,00 грн
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТок – коллектор (Ic) (макс.) – 60 АИмпульсный ток коллектора...
В корзину
Поделиться
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
В корзину
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)

15,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)
В корзину
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)

11,00 грн
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
В корзину
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)

22,00 грн
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: 2SK2370Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
В корзину
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)

26,00 грн
Транзистор G30T60 IGW30N60T IGBT 600V 60A TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IGW30N60T Маркировка: G30T60 Тип управляющего...
В корзину
Поделиться
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
В корзину
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)

13,00 грн
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти