Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)

Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах.
9,00 грн
Артикул:
bg-10485
Описание

Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно - цифровая.

Технические характеристики

  • Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 500 мВт.
  • Предельная частота коэффициента передачи тока (fh21) для схем с общим эмиттером - 300 МГц.
  • Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - У транзисторов BC556 65в.
  • Максимальное напряжение коллектор - база - У транзисторов BC556 80в.
  • Максимальное напряжение эмиттер - база - 5в.
  • Коэффициент передачи тока:
  • У транзисторов BC556A - от 110 до 220.
  • У транзисторов BC556B - от 200 до 450.
  • У транзисторов BC556C - от 420 до 800.
  • Максимальный постоянный ток коллектора - 100 мА.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА - не выше 0,6в.
  • Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА - 0,9в.
Подробнее о товаре
bg-10485
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
9,00 грн
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 100 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В Максимально...
В корзину
9,00 грн
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
49,00 грн
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная...
В корзину
38,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...
35,00 грн
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.Технические характеристикиСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-виток: 55ВМаксимальный...
В корзину
10,00 грн
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстрая скорость переключения Коллектор - Base Voltage - VCBO - 60 В Коллектор - эмиттер - VCEO - 50 В...
В корзину
14,00 грн
Регулируемый прецизионный стабилизатор напряжения TL431. Внутри находится обычный операционный усилитель ОУ (треугольник на блок-схеме) с выходным транзистором и источником опорного напряжения. Только здесь эта схема...
В корзину
14,00 грн
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое...
В корзину
9,00 грн
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты:...
В корзину
3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры