Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)

Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах.
9,00 грн
Артикул:
bg-10485
Описание

Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно - цифровая.

Технические характеристики

  • Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 500 мВт.
  • Предельная частота коэффициента передачи тока (fh21) для схем с общим эмиттером - 300 МГц.
  • Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - У транзисторов BC556 65в.
  • Максимальное напряжение коллектор - база - У транзисторов BC556 80в.
  • Максимальное напряжение эмиттер - база - 5в.
  • Коэффициент передачи тока:
  • У транзисторов BC556A - от 110 до 220.
  • У транзисторов BC556B - от 200 до 450.
  • У транзисторов BC556C - от 420 до 800.
  • Максимальный постоянный ток коллектора - 100 мА.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА - не выше 0,6в.
  • Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА - 0,9в.
Подробнее о товаре
bg-10485
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
19,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...
В корзину
22,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
20,00 грн
IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]. Транзистор рабочий, новый, выпаянный с готовых плат.Технические параметрыСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток...
В корзину
19,00 грн
Транзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP. Транзисторы выпаяны, с восстановленными ножками.Тип транзистора: N-MOSFETПолярність: польовийНапруга сток-витік: 75ВСтрум стоку: 70АПотужність, що розсіюється:...
В корзину
9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40...
В корзину
39,00 грн
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: K2837Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 271 WПредельно...
В корзину
54,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры