Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)

Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах.
8,00 грн
Артикул:
bg-10485
Описание

Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно - цифровая.

Технические характеристики

  • Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 500 мВт.
  • Предельная частота коэффициента передачи тока (fh21) для схем с общим эмиттером - 300 МГц.
  • Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - У транзисторов BC556 65в.
  • Максимальное напряжение коллектор - база - У транзисторов BC556 80в.
  • Максимальное напряжение эмиттер - база - 5в.
  • Коэффициент передачи тока:
  • У транзисторов BC556A - от 110 до 220.
  • У транзисторов BC556B - от 200 до 450.
  • У транзисторов BC556C - от 420 до 800.
  • Максимальный постоянный ток коллектора - 100 мА.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА - не выше 0,6в.
  • Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА - 0,9в.
Подробнее о товаре
bg-10485
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
46,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
9,00 грн
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A. Транзисторы выпаянные с плат, могут иметь короткие ножки, перед отправкой проверяем LCR-тестером.Наименование: IRFB3607Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная...
9,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
44,00 грн
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная...
В корзину
13,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры