Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)

Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах.
9,00 грн
Артикул:
bg-10485
Описание

Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно - цифровая.

Технические характеристики

  • Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 500 мВт.
  • Предельная частота коэффициента передачи тока (fh21) для схем с общим эмиттером - 300 МГц.
  • Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - У транзисторов BC556 65в.
  • Максимальное напряжение коллектор - база - У транзисторов BC556 80в.
  • Максимальное напряжение эмиттер - база - 5в.
  • Коэффициент передачи тока:
  • У транзисторов BC556A - от 110 до 220.
  • У транзисторов BC556B - от 200 до 450.
  • У транзисторов BC556C - от 420 до 800.
  • Максимальный постоянный ток коллектора - 100 мА.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА - не выше 0,6в.
  • Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА - 0,9в.
Подробнее о товаре
bg-10485
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
223,00 грн
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование:...
В корзину
7,00 грн
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92. Технические характеристики Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная мощность (Pc): 0.07 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 Макcимально допустимое...
В корзину
6,00 грн
Транзистор S9012 К-92 PNP. Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база...
В корзину
20,00 грн
IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]. Транзистор рабочий, новый, выпаянный с готовых плат.Технические параметрыСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток...
В корзину
15,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
14,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
9,00 грн
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры