Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)

Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах.
9,00 грн
Артикул:
bg-10485
Описание

Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно - цифровая.

Технические характеристики

  • Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 500 мВт.
  • Предельная частота коэффициента передачи тока (fh21) для схем с общим эмиттером - 300 МГц.
  • Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - У транзисторов BC556 65в.
  • Максимальное напряжение коллектор - база - У транзисторов BC556 80в.
  • Максимальное напряжение эмиттер - база - 5в.
  • Коэффициент передачи тока:
  • У транзисторов BC556A - от 110 до 220.
  • У транзисторов BC556B - от 200 до 450.
  • У транзисторов BC556C - от 420 до 800.
  • Максимальный постоянный ток коллектора - 100 мА.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА - не выше 0,6в.
  • Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА - 0,9в.
Подробнее о товаре
bg-10485
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
23,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...
В корзину
12,00 грн
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое...
В корзину
14,00 грн
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FQP19N20CТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 WПредельно...
В корзину
9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40...
В корзину
9,00 грн
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое...
В корзину
91,00 грн
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FGH60N60SMDТип управляющего канала: N-ChannelПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры