Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB (18870)
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB (18870)
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB (18870)
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB (18870)
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB (18870)
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB (18870)
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB (18870)
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB (18870)
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB (18870)
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB (18870)
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB (18870)
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB (18870)

Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB (18870)

Транзистор NCE40H12 TO-220 полевой MOS N-Ch 40V 120A (18872)
Транзистор FBM80N70 80NF70 80A 70V N-Ch TO-220 (18876)
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB.
18,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18870
Описание
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB.
Подробнее о товаре
bg-18870

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
В корзину
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)

47,00 грн
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование: CRG40T60AN3HМаркировка: G40T60AN3HТип...
В корзину
Поделиться
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
В корзину
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)

13,00 грн
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально...
В корзину
Поделиться
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
В корзину
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)

26,00 грн
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
В корзину
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)

13,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
В корзину
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)

87,00 грн
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов)...
В корзину
Поделиться
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
В корзину
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)

64,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти