Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)

Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225.Технические характеристикиПроизводитель:International Rectifier (IR)Корпус:DPAKСтруктура:NСхема соединения:ОдиночныйV(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток:25 VVgs - напряжение затвор-исток:±12 VId25 - постоянный ток стока при 25°C:100 АId75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C:63 АRds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=5V:3.2 мОмRds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=2.5V:4.2 мОмVGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое):0.8 VVGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон):0.5 ... 1.1 VМощность рассеяния при 25°C:63 Вт
13,00 грн
Артикул:
bg-16686
Описание
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225.
Технические характеристики Производитель:International Rectifier (IR) Корпус:DPAK Структура:N Схема соединения:Одиночный V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток:25 V Vgs - напряжение затвор-исток:±12 V Id25 - постоянный ток стока при 25°C:100 А Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C:63 А Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=5V:3.2 мОм Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=2.5V:4.2 мОм VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое):0.8 V VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон):0.5 ... 1.1 V Мощность рассеяния при 25°C:63 Вт
Подробнее о товаре
bg-16686

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
14,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
13,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
В корзину
13,00 грн
Транзистор S9013 NPN TO-92. Технические характеристики Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
201,00 грн
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование:...
14,00 грн
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H12Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
27,00 грн
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd – Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт |Vds| – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 В |Vgs| – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 В |Vgs(th)| –...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры