Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)

Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 140 Максимальная температура канала (Tj): Время нарастания (tr): Выходная емкость (Cd), pf: Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.007 Тип корпуса: TO220AB
17,00 грн
Артикул:
bg-11493
Описание
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.

Технические характеристики

Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 140 Максимальная температура канала (Tj): Время нарастания (tr): Выходная емкость (Cd), pf: Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.007 Тип корпуса: TO220AB
Подробнее о товаре
bg-11493

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220AB
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
330
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds)
100
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs)
20
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id)
140
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm
0.007
Наименование прибора
HY3610
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
70,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...
В корзину
23,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...
В корзину
9,00 грн
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое...
В корзину
14,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
93,00 грн
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов)...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры