Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)

Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)

Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)
Транзистор HY1808 HY1808P 80NF70 75V 85A (11494)
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 140 Максимальная температура канала (Tj): Время нарастания (tr): Выходная емкость (Cd), pf: Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.007 Тип корпуса: TO220AB
18,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-11493
Описание
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.

Технические характеристики

  • Наименование прибора: HY3610
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 140
  • Максимальная температура канала (Tj):
  • Время нарастания (tr):
  • Выходная емкость (Cd), pf:
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.007
  • Тип корпуса: TO220AB
    • Подробнее о товаре
    bg-11493

    Характеристики

    Полярность
    N
    Тип корпуса
    TO220AB
    Тип транзистора
    MOSFET
    Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
    330
    Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds)
    100
    Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs)
    20
    Максимально допустимый постоянный ток стока (Id)
    140
    Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm
    0.007
    Наименование прибора
    HY3610
    Гарантія та повернення
    Отзывы
    Комментариев нет

    Оставьте отзыв

    • Fit:
    • Quality:
    Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
    Загрузка изображений:
    Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
    В этой категории 16 товаров:
    Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)
    Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)
    В корзину
    Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)
    Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)

    14,00 грн
    Транзистор S9013 NPN TO-92. Технические характеристики Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение...
    В корзину
    Поделиться
    Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
    Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
    Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
    В корзину
    Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
    Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
    Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)

    30,00 грн
    Транзистор G30T60 IGW30N60T IGBT 600V 60A TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IGW30N60T Маркировка: G30T60 Тип управляющего...
    В корзину
    Поделиться
    Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
    В корзину
    Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)

    3,00 грн
    Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
    В корзину
    Поделиться
    Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
    Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
    Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
    В корзину
    Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
    Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
    Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)

    15,00 грн
    Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность:...
    В корзину
    Поделиться

    Меню

    Поделиться

    QR-код

    Параметры

    Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
    Товаров не найдено.

    Please sign in first.

    Войти