Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)

Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 140 Максимальная температура канала (Tj): Время нарастания (tr): Выходная емкость (Cd), pf: Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.007 Тип корпуса: TO220AB
17,00 грн
Артикул:
bg-11493
Описание
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.

Технические характеристики

Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 140 Максимальная температура канала (Tj): Время нарастания (tr): Выходная емкость (Cd), pf: Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.007 Тип корпуса: TO220AB
Подробнее о товаре
bg-11493

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220AB
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
330
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds)
100
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs)
20
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id)
140
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm
0.007
Наименование прибора
HY3610
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
3,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
14,00 грн
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H12Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
13,00 грн
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FQP19N20CТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 WПредельно...
В корзину
15,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
15,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
В корзину
36,00 грн
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТок – коллектор (Ic) (макс.) – 60 АИмпульсный ток коллектора...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры