Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Главная
Фильтр
Цена
грн грн
Производители
Фильтр
Ходкие продукции

Транзисторы навесные

Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
В корзину
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)

Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)

13,00 грн
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225.Технические характеристикиПроизводитель:International Rectifier (IR)Корпус:DPAKСтруктура:NСхема соединения:ОдиночныйV(BR)DSS - напряжение пробоя...
В корзину
Поделиться
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
В корзину
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)

Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)

68,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGH40N60NPFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
Транзистор FGH40N60NPFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
В корзину
Транзистор FGH40N60NPFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
Транзистор FGH40N60NPFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)

Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)

53,00 грн
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247.Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллектор:40А Рассеиваемая мощность:116Вт Корпус:TO247-3 Напряжение затвор - эмиттер:±20В Ток коллектора...
В корзину
Поделиться
В корзину

Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)

739,00 грн
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новыйДанный вид транзистора используется в качестве выходного каскада в системах РЭБ.Технические характеристикиНазвание прибора: BLF6G10S-45КТип транзистора:...
В корзину
Поделиться
В корзину

Транзистор NCEP15T14D (20735)

65,00 грн
Название прибора: NCEP15T14DТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность: 340 ВтПредельно допустимое напряжение сток-сток: 150 ВПредельно допустимое напряжение затвор-сток: 20 ВМаксимально...
В корзину
Поделиться
В корзину

Транзистор NCEP15T14 (20734)

65,00 грн
Наименование прибора: NCEP15T14Тип транзизатора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 WПредельно допустимое напряжение стык-вывода Uds: 150 VПредельно допустимое напряжение затвор-отток Ugs:...
В корзину
Поделиться
В корзину

Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220 Галлий нитрид (20782)

162,00 грн
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220Параметры:Усиленный транзистор - реле с нормально закрытым контактомКрайне высокая частота переключенияНет платы за обратное восстановлениеНизкий заряд затвора,...
В корзину
Поделиться

Транзисторы навесные, часто также называемые "транзисторы с отверстиями" или "проволочные транзисторы", представляют собой тип транзисторов, которые устанавливаются на печатную плату через отверстия и затем паяются с обеих сторон платы. Они широко используются в электронике для усиления сигналов, коммутации и других целей. Вот основные аспекты их работы и применения:

Основные типы транзисторов навесных:

  1. Биполярные транзисторы (BJT):

    • Наиболее распространенный тип транзисторов.
    • Включают NPN и PNP транзисторы.
    • Используются для усиления сигналов, коммутации и стабилизации напряжения.

  2. Полевые транзисторы (FET):

    • Включают JFET (транзисторы с полевым эффектом на полупроводниковом канале) и MOSFET (транзисторы с полевым эффектом на металлокислородном полупроводнике).
    • Используются для управления током и напряжением, высокоскоростных коммутаций и других приложений, требующих низкого сопротивления и высокой скорости работы.

Особенности транзисторов навесных:

  • Монтаж через отверстия: Транзисторы навесные имеют три вывода (эмиттер, коллектор и база для BJT или исток, сток и затвор для FET), которые проходят через отверстия в печатной плате.

  • Пайка с обеих сторон платы: После установки транзистора на плату, его выводы паются с обеих сторон для обеспечения надежного электрического контакта и механической прочности.

  • Применение в различных устройствах: Транзисторы навесные используются в усилителях мощности, источниках питания, радиопередатчиках, цифровых и аналоговых схемах, а также в микроконтроллерах и многих других электронных устройствах.

Преимущества транзисторов навесных:

  • Надежность: Хороший теплоотвод благодаря монтажу на печатную плату.
  • Широкий выбор типов и параметров: Позволяют выбрать транзистор с нужными характеристиками для конкретного приложения.
  • Относительно простая установка: Могут быть установлены вручную или автоматически на производственных линиях.

Транзисторы навесные остаются важными элементами в современной электронике благодаря своей универсальности и возможности работы в широком диапазоне условий и приложений. Их использование варьируется от простых усилителей до сложных цифровых источников сигналов, обеспечивая высокую производительность и надежность в различных устройствах и системах.

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти