Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)

Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)

Биполярный транзистор SS8050 Y1 SOT-23 5шт (11411)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.9 Максимальная температура канала (Tj): 150 Время нарастания (tr): 15 Выходная емкость (Cd), pf: 340 Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.06 Тип корпуса: SO8
9,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-12853
Описание
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.9 Максимальная температура канала (Tj): 150 Время нарастания (tr): 15 Выходная емкость (Cd), pf: 340 Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.06 Тип корпуса: SO8
Подробнее о товаре
bg-12853

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
В корзину
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)

13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
В корзину
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)

13,00 грн
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4...
В корзину
Поделиться
В корзину

352,00 грн
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напряжение пробоя, высокую частоту переключения и работу при высокой температуре. GaN Systems...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
В корзину
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)

5,00 грн
Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: P Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd)...
В корзину
Поделиться
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
В корзину
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)

9,00 грн
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current...
В корзину
Поделиться
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
В корзину
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)

3,00 грн
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23. Технические характеристики Наименование: SI2303 Маркировка: A3T Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно...
В корзину
Поделиться
В корзину

352,00 грн
ISG3201 — это продукт Copak с напряжением 100В из семейства SolidGaN компании Innoscience. Он интегрирует два устройства GaN с режимом повышения напряжения на 100В и драйвер полумоста на 100В. ISG3201 использует...
В корзину
Поделиться
В корзину

236,00 грн
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти