Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)

Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)

Биполярный транзистор SS8050 Y1 SOT-23 5шт (11411)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.9 Максимальная температура канала (Tj): 150 Время нарастания (tr): 15 Выходная емкость (Cd), pf: 340 Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.06 Тип корпуса: SO8
9,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-12853
Описание
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.9 Максимальная температура канала (Tj): 150 Время нарастания (tr): 15 Выходная емкость (Cd), pf: 340 Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.06 Тип корпуса: SO8
Подробнее о товаре
bg-12853

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину

9,00 грн
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.Технические характеристикиНаименование: NCE01P03SТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

270,00 грн
Высокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x 6 ммПараметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTПрименение в промышленностиОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

352,00 грн
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напряжение пробоя, высокую частоту переключения и работу при высокой температуре. GaN Systems...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

144,00 грн
650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 мм x 8 ммПараметры:Транзистор режима улучшения - нормально выключенный выключатель...
В корзину
Поделиться
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
В корзину
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)

16,00 грн
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Максимальное...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
В корзину
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)

5,00 грн
Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: P Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd)...
В корзину
Поделиться
В корзину

15,00 грн
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.Технические характеристикиСтруктура: NPNСхема соединения: ОдиночныйМакс. напряжение коллектор-база: 180 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 VМакс.
В корзину
Поделиться
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
В корзину
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)

11,00 грн
2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.12 Максимальное...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

236,00 грн
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти