Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)

2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.12 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 7500 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 80 Корпус: sot23 * цена указана за 10 штук
11,00 грн
Артикул:
bg-14217
Описание
2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.12 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 7500 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 80 Корпус: sot23 * цена указана за 10 штук
Подробнее о товаре
bg-14217

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
9,00 грн
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.Технические характеристикиНаименование: NCE01P03SТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток...
В корзину
5,00 грн
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...
NEW
В корзину
144,00 грн
GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA) с размерами корпуса 3.2 мм x 2.2 мм.Параметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий...
В корзину
5,00 грн
Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: P Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd)...
В корзину
13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное...
В корзину
9,00 грн
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое...
В корзину
15,00 грн
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.Технические характеристикиСтруктура: NPNСхема соединения: ОдиночныйМакс. напряжение коллектор-база: 180 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 VМакс.
NEW
В корзину
352,00 грн
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напряжение пробоя, высокую частоту переключения и работу при высокой температуре. GaN Systems...
В корзину
13,00 грн
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4...
NEW
В корзину
236,00 грн
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры