Биполярный транзистор SS8550 Y2 SOT-23 10шт (11415)

Транзистор SS8550 - PNP medium power transistor 40V, 0.5A Технические характеристики I(c): 0.5A V(cbo): 40V Тип корпуса: SOT-23 * цена указана за 10 шт
10,00 грн
Артикул:
bg-11415
Описание

Транзистор SS8550 - PNP medium power transistor 40V, 0.5A

Технические характеристики

  • I(c): 0.5A
  • V(cbo): 40V
  • Тип корпуса: SOT-23

* цена указана за 10 шт

Подробнее о товаре
bg-11415

Характеристики

Тип корпуса
SOT-23
I(c)
0.5A
V(cbo)
40V
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное напряжение...
В корзину
17,00 грн
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Максимальное...
В корзину
5,00 грн
Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: P Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd)...
В корзину
10,00 грн
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое...
В корзину
9,00 грн
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.Технические характеристикиНаименование: NCE01P03SТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток...
В корзину
4,00 грн
Транзистор SI2302 sot23 smd N-Channel Mosfet A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт). Технические характеристики SI2302 маркировка A2SHB Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры