Транзистор BC857C 3G 0.1A 45V SOT23 10шт (16186)

Транзистор BC857C 3G 0.1A 45V SOT23 10шт.
9,00 грн
Артикул:
bg-16186
Описание
Транзистор BC857C 3G 0.1A 45V SOT23 10шт.
Подробнее о товаре
bg-16186

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
NEW
В корзину
270,00 грн
Высокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x 6 ммПараметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTПрименение в промышленностиОчень низкий заряд...
В корзину
16,00 грн
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Максимальное...
В корзину
13,00 грн
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4...
В корзину
5,00 грн
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...
NEW
В корзину
352,00 грн
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напряжение пробоя, высокую частоту переключения и работу при высокой температуре. GaN Systems...
NEW
В корзину
352,00 грн
ISG3201 — это продукт Copak с напряжением 100В из семейства SolidGaN компании Innoscience. Он интегрирует два устройства GaN с режимом повышения напряжения на 100В и драйвер полумоста на 100В. ISG3201 использует...
В корзину
15,00 грн
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.Технические характеристикиСтруктура: NPNСхема соединения: ОдиночныйМакс. напряжение коллектор-база: 180 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 VМакс.
9,00 грн
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current...
NEW
В корзину
273,00 грн
INN100FQ016A — это усиленный транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience, предназначенный для высокочастотных приложений.Основные характеристики:Напряжение пробоя: 100 ВМаксимальный ток утечки:...
В корзину
3,00 грн
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23. Технические характеристики Наименование: SI2303 Маркировка: A3T Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры