Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)

MMBTA42, (1D), (MPSA42), транзистор биполярный, NPN 300В 0.5А, SOT23. High voltage transistor npn silicon. Цена указана за 10 штук.Технические характеристикиМаркировка: 1D (K3M, A42)Корпус: SOT-23Напряжение эмиттер-коллектор: 300ВНапряжение коллектор-база: 300ВНапряжение эмитер-база: 6ВМаксимально допустимый ток: 500 мАМаксимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт
22,00 грн
Артикул:
bg-15967
Описание
MMBTA42, (1D), (MPSA42), транзистор биполярный, NPN 300В 0.5А, SOT23. High voltage transistor npn silicon. Цена указана за 10 штук.
Технические характеристики
Маркировка: 1D (K3M, A42) Корпус: SOT-23 Напряжение эмиттер-коллектор: 300В Напряжение коллектор-база: 300В Напряжение эмитер-база: 6В Максимально допустимый ток: 500 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт
Подробнее о товаре
bg-15967

Характеристики

Маркировка
1D (K3M, A42)
Корпус
SOT-23
Напряжение эмиттер-коллектор
300В
Напряжение коллектор-база
300В
Напряжение эмитер-база
Максимально допустимый ток
500 мА
Максимальная рассеиваемая мощность
300 мВт
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
352,00 грн
ISG3201 — это продукт Copak с напряжением 100В из семейства SolidGaN компании Innoscience. Он интегрирует два устройства GaN с режимом повышения напряжения на 100В и драйвер полумоста на 100В. ISG3201 использует...
В корзину
13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное...
В корзину
9,00 грн
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое...
В корзину
236,00 грн
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...
В корзину
3,00 грн
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23. Технические характеристики Наименование: SI2303 Маркировка: A3T Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно...
В корзину
11,00 грн
2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.12 Максимальное...
В корзину
16,00 грн
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Максимальное...
В корзину
15,00 грн
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.Технические характеристикиСтруктура: NPNСхема соединения: ОдиночныйМакс. напряжение коллектор-база: 180 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 VМакс.
9,00 грн
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current...
В корзину
5,00 грн
Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: P Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd)...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры