Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)
Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)
Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)
Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)
Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)
Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)
Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)
Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)
Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)
Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)
Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)
Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)

Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)

Транзистор с полевым эффектом AO3404 SOT-23 A49T SOT23 AO3404A 10шт (17960)
Транзистор BC857C 3G 0.1A 45V SOT23 10шт (16186)
MMBTA42, (1D), (MPSA42), транзистор биполярный, NPN 300В 0.5А, SOT23. High voltage transistor npn silicon. Цена указана за 10 штук.Технические характеристикиМаркировка: 1D (K3M, A42)Корпус: SOT-23Напряжение эмиттер-коллектор: 300ВНапряжение коллектор-база: 300ВНапряжение эмитер-база: 6ВМаксимально допустимый ток: 500 мАМаксимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт
22,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-15967
Описание
MMBTA42, (1D), (MPSA42), транзистор биполярный, NPN 300В 0.5А, SOT23. High voltage transistor npn silicon. Цена указана за 10 штук.
Технические характеристики
Маркировка: 1D (K3M, A42) Корпус: SOT-23 Напряжение эмиттер-коллектор: 300В Напряжение коллектор-база: 300В Напряжение эмитер-база: 6В Максимально допустимый ток: 500 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт
Подробнее о товаре
bg-15967

Характеристики

Маркировка
1D (K3M, A42)
Корпус
SOT-23
Напряжение эмиттер-коллектор
300В
Напряжение коллектор-база
300В
Напряжение эмитер-база
6В
Максимально допустимый ток
500 мА
Максимальная рассеиваемая мощность
300 мВт
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину

352,00 грн
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напряжение пробоя, высокую частоту переключения и работу при высокой температуре. GaN Systems...
В корзину
Поделиться
В корзину

9,00 грн
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.Технические характеристикиНаименование: NCE01P03SТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток...
В корзину
Поделиться
В корзину

144,00 грн
650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 мм x 8 ммПараметры:Транзистор режима улучшения - нормально выключенный выключатель...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
В корзину
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)

9,00 грн
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое...
В корзину
Поделиться
В корзину

236,00 грн
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
В корзину
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)

5,00 грн
Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: P Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd)...
В корзину
Поделиться
В корзину

352,00 грн
ISG3201 — это продукт Copak с напряжением 100В из семейства SolidGaN компании Innoscience. Он интегрирует два устройства GaN с режимом повышения напряжения на 100В и драйвер полумоста на 100В. ISG3201 использует...
В корзину
Поделиться
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
В корзину
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)

16,00 грн
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Максимальное...
В корзину
Поделиться
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
В корзину
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)

9,00 грн
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти