Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25шт (19918)

Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.Технические характеристикиСтруктура: NPNСхема соединения: ОдиночныйМакс. напряжение коллектор-база: 180 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 VМакс.
16,00 грн
Артикул:
bg-19918
Описание

Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.

Технические характеристики

  • Структура: NPN
  • Схема соединения: Одиночный
  • Макс. напряжение коллектор-база: 180 V
  • Макс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 V
  • Макс. напряжение эмиттер-база: 6 V
  • Макс. постоянный ток коллектора: 0.6 А
  • Мощность рассеяния: 0.3 Вт
  • Предельная частота (Ft): 100 МГц
  • Коэффициент передачи тока (диапазон): 30 – 250
  • Способ монтажа: SMD монтаж
  • Корпус: SOT23
Подробнее о товаре
bg-19918

Характеристики

Корпус
SOT23
Структура
npn
Способ монтажа
SMD монтаж
Схема соединения
Одиночный
Макс. напряжение коллектор-база
180 V
Макс. напряжение коллектор-эмиттер
160 V
Макс. напряжение эмиттер-база
6 V
Макс. постоянный ток коллектора
0.6 А
Мощность рассеяния
0.3 Вт
Предельная частота (Ft)
100 МГц
Коэффициент передачи тока (диапазон)
30 – 250
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
10,00 грн
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое...
В корзину
5,00 грн
Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: P Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd)...
В корзину
13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное напряжение...
В корзину
17,00 грн
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Максимальное...
В корзину
4,00 грн
Транзистор SI2302 sot23 smd N-Channel Mosfet A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт). Технические характеристики SI2302 маркировка A2SHB Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно...
В корзину
5,00 грн
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...
В корзину
9,00 грн
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current...
В корзину
9,00 грн
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.Технические характеристикиНаименование: NCE01P03SТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры