Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25шт (19918)
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25шт (19918)
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25шт (19918)
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25шт (19918)

Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25шт (19918)

Транзистор N-канал P-канал AO4606 30V 6.9/6A SO-8 (16189)
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8 (19920)
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.Технические характеристикиСтруктура: NPNСхема соединения: ОдиночныйМакс. напряжение коллектор-база: 180 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 VМакс.
15,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19918
Описание

Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.

Технические характеристики

  • Структура: NPN
  • Схема соединения: Одиночный
  • Макс. напряжение коллектор-база: 180 V
  • Макс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 V
  • Макс. напряжение эмиттер-база: 6 V
  • Макс. постоянный ток коллектора: 0.6 А
  • Мощность рассеяния: 0.3 Вт
  • Предельная частота (Ft): 100 МГц
  • Коэффициент передачи тока (диапазон): 30 – 250
  • Способ монтажа: SMD монтаж
  • Корпус: SOT23
Подробнее о товаре
bg-19918

Характеристики

Корпус
SOT23
Структура
npn
Способ монтажа
SMD монтаж
Схема соединения
Одиночный
Макс. напряжение коллектор-база
180 V
Макс. напряжение коллектор-эмиттер
160 V
Макс. напряжение эмиттер-база
6 V
Макс. постоянный ток коллектора
0.6 А
Мощность рассеяния
0.3 Вт
Предельная частота (Ft)
100 МГц
Коэффициент передачи тока (диапазон)
30 – 250
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
NEW
В корзину

144,00 грн
GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA) с размерами корпуса 3.2 мм x 2.2 мм.Параметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

270,00 грн
Высокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x 6 ммПараметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTПрименение в промышленностиОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
В корзину
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)

5,00 грн
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...
В корзину
Поделиться
В корзину

9,00 грн
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.Технические характеристикиНаименование: NCE01P03SТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

236,00 грн
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

352,00 грн
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напряжение пробоя, высокую частоту переключения и работу при высокой температуре. GaN Systems...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
В корзину
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)

9,00 грн
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

352,00 грн
ISG3201 — это продукт Copak с напряжением 100В из семейства SolidGaN компании Innoscience. Он интегрирует два устройства GaN с режимом повышения напряжения на 100В и драйвер полумоста на 100В. ISG3201 использует...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

273,00 грн
INN100FQ016A — это усиленный транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience, предназначенный для высокочастотных приложений.Основные характеристики:Напряжение пробоя: 100 ВМаксимальный ток утечки:...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти