Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)

Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)

Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current Gain: 110Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°CКорпус транзистора: SOT-23Количество выводов: 3SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)Collector Emitter Voltage Vces: 200 мВТок коллектора постоянный максимальный: 100 мАCurrent Ic Continuous a Max: 100 мАМаркировка: BC847Частота единичного усиления минимальная: 100 МГцЧастота единичного усиления типовая: 100 МГцDC Current Gain Min: 125DC Current Gain Typ: 125Количество транзисторов: 1Коэффициент шума максимальный: 10 дБТип корпуса: SOT-23Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВтКоличество приборов в упаковке (ленте): 3000SMD Marking: 1HШирина ленты: 8 ммСпособ монтажа: SMDОбратный ток перехода база-коллектор: 50 В
9,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-10228
Описание
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.
Технические характеристики
Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 В Рассеиваемая мощность: 250 мВт DC Collector Current: 100 мА DC Current Gain: 110 Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C Корпус транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Collector Emitter Voltage Vces: 200 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА Current Ic Continuous a Max: 100 мА Маркировка: BC847 Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц Частота единичного усиления типовая: 100 МГц DC Current Gain Min: 125 DC Current Gain Typ: 125 Количество транзисторов: 1 Коэффициент шума максимальный: 10 дБ Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт Количество приборов в упаковке (ленте): 3000 SMD Marking: 1H Ширина ленты: 8 мм Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В
Подробнее о товаре
bg-10228

Характеристики

Тип корпуса
SOT-23
SVHC
No SVHC (19-Dec-2011)
Маркировка
BC847
Способ монтажа
SMD
Рабочий диапазон температрур
-65°C ... +150°C
Количество выводов
3
Корпус транзистора
SOT-23
Полярность транзистора
NPN
Ширина ленты
8 мм
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
45 В
Рассеиваемая мощность
250 мВт
DC Collector Current
100 мА
DC Current Gain
110
Collector Emitter Voltage Vces
200 мВ
Ток коллектора постоянный максимальный
100 мА
Current Ic Continuous a Max
100 мА
Частота единичного усиления минимальная
100 МГц
Частота единичного усиления типовая
100 МГц
DC Current Gain Min
125
DC Current Gain Typ
125
Количество транзисторов
1
Коэффициент шума максимальный
10 дБ
Рассеиваемая мощность максимальная
250 мВт
Количество приборов в упаковке (ленте)
3000
SMD Marking
1H
Обратный ток перехода база-коллектор
50 В
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину

270,00 грн
Высокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x 6 ммПараметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTПрименение в промышленностиОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться
В корзину

273,00 грн
INN100FQ016A — это усиленный транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience, предназначенный для высокочастотных приложений.Основные характеристики:Напряжение пробоя: 100 ВМаксимальный ток утечки:...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
В корзину
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)

5,00 грн
Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: P Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd)...
В корзину
Поделиться
В корзину

9,00 грн
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.Технические характеристикиНаименование: NCE01P03SТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток...
В корзину
Поделиться
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
В корзину
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)

16,00 грн
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Максимальное...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
В корзину
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)

13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
В корзину
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)

5,00 грн
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...
В корзину
Поделиться
В корзину

144,00 грн
650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 мм x 8 ммПараметры:Транзистор режима улучшения - нормально выключенный выключатель...
В корзину
Поделиться
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
В корзину
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)

11,00 грн
2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.12 Максимальное...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
В корзину
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)

9,00 грн
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти