Купить Транзистор MOSFET SI2301 20V 2.2A SOT23 SMD P-Channel (14910) electricbike Транзисторы SMD

Полевой транзистор BSS138 MOSFET N CH SOT23 10шт (10224)

В корзину

Полевой транзистор BSS138 MOSFET N CH SOT23 10шт (10224)

10,00 грн

BSS138 MOSFET Полевой транзистор N CH SOT23. Технические характеристики Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 220 мА Drain Source Voltage Vds: 50 В On Resistance Rds(on): 3.5 Ом Rds(on) Test...

В корзину

Биполярный транзистор SS8050 Y1 SOT-23 5шт (11411)

В корзину

Биполярный транзистор SS8050 Y1 SOT-23 5шт (11411)

9,00 грн

Транзистор SS8050 (маркировка Y1) - NPN Epitaxial Silicon Transistor 40V, 1.5 A. Технические характеристики I(c): 1.5A V(cbo): 40V Тип корпуса: SOT-23

В корзину

Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)

В корзину

Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)

9,00 грн

Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23. Технические характеристики Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 75 В Напряжение эмиттер-база,...

В корзину

Транзистор NCE3010 3010S 30V 10A SMD N-Channel МОП-транзистор SOP-8 (14259)

В корзину

Транзистор NCE3010 3010S 30V 10A SMD N-Channel МОП-транзистор SOP-8 (14259)

10,00 грн

Транзистор NCE3010 3010S 30V 10A SMD N-Channel МОП-транзистор SOP-8. Технические характеристики VDS = 30V ID = 1OA с RDS (ON) &lt,12 м @ VGS = 10V в режиме RDS (ON) &lt,16mΩ @ VGS = 4.5V

В корзину

Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)

В корзину

Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)

5,00 грн

Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: P Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd)...

В корзину

Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)

В корзину

Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)

3,00 грн

Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23. Технические характеристики Наименование: SI2303 Маркировка: A3T Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно...

В корзину

Силовой GaN транзистор SMD INN650D080BS Галлий нитрит (20783)

144,00 грн

650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 мм x 8 ммПараметры:Транзистор режима улучшения - нормально выключенный выключатель...

В корзину

Транзистор с полевым эффектом AO3404 SOT-23 A49T SOT23 AO3404A 10шт (17960)

В корзину

Транзистор с полевым эффектом AO3404 SOT-23 A49T SOT23 AO3404A 10шт (17960)

14,00 грн

Транзистор с полевым эффектом AO3404 SOT-23 A49T SOT23 AO3404A 10шт.

В корзину

Транзистор IRF6721 6721 IRF6721STRPBF N-ch Mosfet (17432)

В корзину

Транзистор IRF6721 6721 IRF6721STRPBF N-ch Mosfet (17432)

26,00 грн

Транзистор IRF6721 6721 IRF6721STRPBF N-ch Mosfet.

В корзину

Силовой GaN транзистор Галлий нитрид SMD INN100FQ016A (20864)

273,00 грн

INN100FQ016A — это усиленный транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience, предназначенный для высокочастотных приложений.Основные характеристики:Напряжение пробоя: 100 ВМаксимальный ток утечки:...

В корзину

Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)

В корзину

Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)

9,00 грн

MMBT3904, Транзистор NPN 40В 0.2А [SOT-23-3]. Технические характеристики Структура: npn Макс. напр.

В корзину

Силовой GaN транзистор SMD INN150LA070A Галлий нитрит (20784)

144,00 грн

GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA) с размерами корпуса 3.2 мм x 2.2 мм.Параметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий...

В корзину

Силовой GaN транзистор SMD INN100W032A Галлий нитрит (20786)

236,00 грн

Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...

В корзину

Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)

В корзину

Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)

5,00 грн

Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...

В корзину