Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)

Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)

Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор NCE3010 3010S 30V 10A SMD N-Channel МОП-транзистор SOP-8 (14259)
Транзистор SI2302 sot23 smd N-Channel Mosfet A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт). Технические характеристики SI2302 маркировка A2SHB Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.3 Максимальная температура канала (Tj): 150 Время нарастания (tr): 36 Выходная емкость (Cd), pf: 115 Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.085 Тип корпуса: SOT23 Близкие аналоги: AO3400, AO3402, AO3406A, STS4300, UT3400, UT3404, UT6402.
3,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-14258
Описание
Транзистор SI2302 sot23 smd N-Channel Mosfet A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт). Технические характеристики SI2302 маркировка A2SHB Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.3 Максимальная температура канала (Tj): 150 Время нарастания (tr): 36 Выходная емкость (Cd), pf: 115 Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.085 Тип корпуса: SOT23 Близкие аналоги: AO3400, AO3402, AO3406A, STS4300, UT3400, UT3404, UT6402.
Подробнее о товаре
bg-14258

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину

9,00 грн
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.Технические характеристикиНаименование: NCE01P03SТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

144,00 грн
GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA) с размерами корпуса 3.2 мм x 2.2 мм.Параметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
В корзину
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)

5,00 грн
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

352,00 грн
ISG3201 — это продукт Copak с напряжением 100В из семейства SolidGaN компании Innoscience. Он интегрирует два устройства GaN с режимом повышения напряжения на 100В и драйвер полумоста на 100В. ISG3201 использует...
В корзину
Поделиться
В корзину

15,00 грн
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.Технические характеристикиСтруктура: NPNСхема соединения: ОдиночныйМакс. напряжение коллектор-база: 180 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 VМакс.
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
В корзину
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)

9,00 грн
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

270,00 грн
Высокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x 6 ммПараметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTПрименение в промышленностиОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

236,00 грн
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
В корзину
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)

9,00 грн
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23. Технические характеристики Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 75 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
В корзину
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)

5,00 грн
Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: P Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd)...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти