Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)

Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)

Транзистор AO4407A AO4407 30V 12А SOP-8 (17915)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 10000 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36 Крутизна характеристики, S: 270 Корпус: sot23 Пороговое напряжение на затворе: -2 * цена указана за 10 штук
13,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-12430
Описание
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 10000 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36 Крутизна характеристики, S: 270 Корпус: sot23 Пороговое напряжение на затворе: -2 * цена указана за 10 штук
Подробнее о товаре
bg-12430

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
В корзину
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)

5,00 грн
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
В корзину
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)

9,00 грн
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое...
В корзину
Поделиться
В корзину

352,00 грн
ISG3201 — это продукт Copak с напряжением 100В из семейства SolidGaN компании Innoscience. Он интегрирует два устройства GaN с режимом повышения напряжения на 100В и драйвер полумоста на 100В. ISG3201 использует...
В корзину
Поделиться
В корзину

144,00 грн
650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 мм x 8 ммПараметры:Транзистор режима улучшения - нормально выключенный выключатель...
В корзину
Поделиться
В корзину

15,00 грн
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.Технические характеристикиСтруктура: NPNСхема соединения: ОдиночныйМакс. напряжение коллектор-база: 180 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 VМакс.
В корзину
Поделиться
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
В корзину
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)

3,00 грн
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23. Технические характеристики Наименование: SI2303 Маркировка: A3T Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно...
В корзину
Поделиться
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
В корзину
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)

16,00 грн
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Максимальное...
В корзину
Поделиться
В корзину

144,00 грн
GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA) с размерами корпуса 3.2 мм x 2.2 мм.Параметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий...
В корзину
Поделиться
В корзину

236,00 грн
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти