Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)
Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)
Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)
Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)
Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)
Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)
Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)
Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)
Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)
Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)
Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)
Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)

Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)

Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
MMBT3904, Транзистор NPN 40В 0.2А [SOT-23-3]. Технические характеристики Структура: npn Макс. напр.
9,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-12603
Описание
MMBT3904, Транзистор NPN 40В 0.2А [SOT-23-3]. Технические характеристики Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 0.35 Корпус: sot23
Подробнее о товаре
bg-12603

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину

9,00 грн
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.Технические характеристикиНаименование: NCE01P03SТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток...
В корзину
Поделиться
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
В корзину
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)

3,00 грн
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23. Технические характеристики Наименование: SI2303 Маркировка: A3T Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
В корзину
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)
Транзистор полевой LRC LBSS84LT1G BSS84 SMD SOT-23 P-ch 10шт (12430)

13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

273,00 грн
INN100FQ016A — это усиленный транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience, предназначенный для высокочастотных приложений.Основные характеристики:Напряжение пробоя: 100 ВМаксимальный ток утечки:...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

144,00 грн
GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA) с размерами корпуса 3.2 мм x 2.2 мм.Параметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий...
В корзину
Поделиться
В корзину

15,00 грн
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.Технические характеристикиСтруктура: NPNСхема соединения: ОдиночныйМакс. напряжение коллектор-база: 180 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 VМакс.
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

352,00 грн
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напряжение пробоя, высокую частоту переключения и работу при высокой температуре. GaN Systems...
В корзину
Поделиться
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
В корзину
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)

9,00 грн
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

144,00 грн
650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 мм x 8 ммПараметры:Транзистор режима улучшения - нормально выключенный выключатель...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

236,00 грн
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
В корзину
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)

9,00 грн
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23. Технические характеристики Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 75 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти