Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)

Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)

Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)
Транзистор с полевым эффектом AO3404 SOT-23 A49T SOT23 AO3404A 10шт (17960)
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD. Технические характеристики Тип материала: Si Переход: PNP Макс. рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макс.
9,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-10906
Описание
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD.

Технические характеристики

Тип материала: Si Переход: PNP Макс. рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макс. допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макc. допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 Макc. допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макc. постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 5 Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120 Корпус (исполнение): SOT23

* цена указана за 10 штук

Подробнее о товаре
bg-10906

Характеристики

Тип материала
Si Переход
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину

352,00 грн
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напряжение пробоя, высокую частоту переключения и работу при высокой температуре. GaN Systems...
В корзину
Поделиться
В корзину

15,00 грн
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.Технические характеристикиСтруктура: NPNСхема соединения: ОдиночныйМакс. напряжение коллектор-база: 180 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 VМакс.
В корзину
Поделиться
В корзину

352,00 грн
ISG3201 — это продукт Copak с напряжением 100В из семейства SolidGaN компании Innoscience. Он интегрирует два устройства GaN с режимом повышения напряжения на 100В и драйвер полумоста на 100В. ISG3201 использует...
В корзину
Поделиться
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
В корзину
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)

11,00 грн
2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.12 Максимальное...
В корзину
Поделиться
В корзину

144,00 грн
GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA) с размерами корпуса 3.2 мм x 2.2 мм.Параметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий...
В корзину
Поделиться
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
В корзину
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)

9,00 грн
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current...
В корзину
Поделиться
В корзину

270,00 грн
Высокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x 6 ммПараметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTПрименение в промышленностиОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
В корзину
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)

5,00 грн
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...
В корзину
Поделиться
В корзину

273,00 грн
INN100FQ016A — это усиленный транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience, предназначенный для высокочастотных приложений.Основные характеристики:Напряжение пробоя: 100 ВМаксимальный ток утечки:...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти