Полевой транзистор BSS138 MOSFET N CH SOT23 10шт (10224)

BSS138 MOSFET Полевой транзистор N CH SOT23. Технические характеристики Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 220 мА Drain Source Voltage Vds: 50 В On Resistance Rds(on): 3.5 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.3 В Рассеиваемая мощность: 360 мВт Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C Корпус транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Current Id Max: 220 мА Тип корпуса: SOT-23 Способ монтажа: SMD Voltage Vds Typ: 50 В Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В * цена указана за 10 штук
10,00 грн
Артикул:
bg-10224
Описание
BSS138 MOSFET Полевой транзистор N CH SOT23.

Технические характеристики

Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 220 мА Drain Source Voltage Vds: 50 В On Resistance Rds(on): 3.5 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.3 В Рассеиваемая мощность: 360 мВт Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C Корпус транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Current Id Max: 220 мА Тип корпуса: SOT-23 Способ монтажа: SMD Voltage Vds Typ: 50 В Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

* цена указана за 10 штук

Подробнее о товаре
bg-10224

Характеристики

Полярность транзистора
N Channel Continuous Drain Current Id
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
16,00 грн
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.Технические характеристикиСтруктура: NPNСхема соединения: ОдиночныйМакс. напряжение коллектор-база: 180 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 VМакс.
В корзину
10,00 грн
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23. Технические характеристики Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 75 В Напряжение эмиттер-база, не...
В корзину
4,00 грн
Транзистор SI2302 sot23 smd N-Channel Mosfet A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт). Технические характеристики SI2302 маркировка A2SHB Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно...
В корзину
9,00 грн
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current...
В корзину
12,00 грн
2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.12 Максимальное...
В корзину
4,00 грн
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23. Технические характеристики Наименование: SI2303 Маркировка: A3T Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно допустимое...
В корзину
13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное напряжение...
В корзину
17,00 грн
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Максимальное...
В корзину
5,00 грн
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...
В корзину
13,00 грн
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 Предельно...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры