Полевой транзистор BSS138 MOSFET N CH SOT23 10шт (10224)

BSS138 MOSFET Полевой транзистор N CH SOT23. Технические характеристики Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 220 мА Drain Source Voltage Vds: 50 В On Resistance Rds(on): 3.5 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.3 В Рассеиваемая мощность: 360 мВт Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C Корпус транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Current Id Max: 220 мА Тип корпуса: SOT-23 Способ монтажа: SMD Voltage Vds Typ: 50 В Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В * цена указана за 10 штук
10,00 грн
Артикул:
bg-10224
Описание
BSS138 MOSFET Полевой транзистор N CH SOT23.

Технические характеристики

Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 220 мА Drain Source Voltage Vds: 50 В On Resistance Rds(on): 3.5 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.3 В Рассеиваемая мощность: 360 мВт Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C Корпус транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Current Id Max: 220 мА Тип корпуса: SOT-23 Способ монтажа: SMD Voltage Vds Typ: 50 В Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

* цена указана за 10 штук

Подробнее о товаре
bg-10224

Характеристики

Полярность транзистора
N Channel Continuous Drain Current Id
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
5,00 грн
Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: P Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd)...
В корзину
236,00 грн
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...
В корзину
144,00 грн
GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA) с размерами корпуса 3.2 мм x 2.2 мм.Параметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий...
В корзину
5,00 грн
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...
9,00 грн
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current...
В корзину
13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное...
В корзину
9,00 грн
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23. Технические характеристики Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 75 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
144,00 грн
650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 мм x 8 ммПараметры:Транзистор режима улучшения - нормально выключенный выключатель...
В корзину
270,00 грн
Высокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x 6 ммПараметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTПрименение в промышленностиОчень низкий заряд...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры