Полевой транзистор BSS138 MOSFET N CH SOT23 10шт (10224)

BSS138 MOSFET Полевой транзистор N CH SOT23. Технические характеристики Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 220 мА Drain Source Voltage Vds: 50 В On Resistance Rds(on): 3.5 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.3 В Рассеиваемая мощность: 360 мВт Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C Корпус транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Current Id Max: 220 мА Тип корпуса: SOT-23 Способ монтажа: SMD Voltage Vds Typ: 50 В Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В * цена указана за 10 штук
10,00 грн
Артикул:
bg-10224
Описание
BSS138 MOSFET Полевой транзистор N CH SOT23.

Технические характеристики

Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 220 мА Drain Source Voltage Vds: 50 В On Resistance Rds(on): 3.5 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.3 В Рассеиваемая мощность: 360 мВт Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C Корпус транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Current Id Max: 220 мА Тип корпуса: SOT-23 Способ монтажа: SMD Voltage Vds Typ: 50 В Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

* цена указана за 10 штук

Подробнее о товаре
bg-10224

Характеристики

Полярность транзистора
N Channel Continuous Drain Current Id
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
270,00 грн
Высокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x 6 ммПараметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTПрименение в промышленностиОчень низкий заряд...
В корзину
13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное...
В корзину
144,00 грн
650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 мм x 8 ммПараметры:Транзистор режима улучшения - нормально выключенный выключатель...
В корзину
13,00 грн
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4...
В корзину
273,00 грн
INN100FQ016A — это усиленный транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience, предназначенный для высокочастотных приложений.Основные характеристики:Напряжение пробоя: 100 ВМаксимальный ток утечки:...
В корзину
9,00 грн
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.Технические характеристикиНаименование: NCE01P03SТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток...
В корзину
352,00 грн
ISG3201 — это продукт Copak с напряжением 100В из семейства SolidGaN компании Innoscience. Он интегрирует два устройства GaN с режимом повышения напряжения на 100В и драйвер полумоста на 100В. ISG3201 использует...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры