Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8 (19920)

Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.Технические характеристикиНаименование: NCE01P03SТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 25 nCВремя нарастания (tr): 18 nsВыходная емкость (Cd): 260 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 OhmТип корпуса: SOP8
9,00 грн
Артикул:
bg-19920
Описание

Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.

Технические характеристики

  • Наименование: NCE01P03S
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: P
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
  • Время нарастания (tr): 18 ns
  • Выходная емкость (Cd): 260 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
  • Тип корпуса: SOP8
Подробнее о товаре
bg-19920

Характеристики

Полярность
P
Тип корпуса
SOP8
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
2.5 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.2 Ohm
Наименование
NCE01P03S
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
25 nC
Время нарастания (tr)
18 ns
Выходная емкость (Cd)
260 pf
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
352,00 грн
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напряжение пробоя, высокую частоту переключения и работу при высокой температуре. GaN Systems...
В корзину
13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное...
В корзину
273,00 грн
INN100FQ016A — это усиленный транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience, предназначенный для высокочастотных приложений.Основные характеристики:Напряжение пробоя: 100 ВМаксимальный ток утечки:...
В корзину
236,00 грн
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...
В корзину
9,00 грн
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23. Технические характеристики Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 75 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
144,00 грн
GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA) с размерами корпуса 3.2 мм x 2.2 мм.Параметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий...
В корзину
13,00 грн
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4...
В корзину
5,00 грн
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...
В корзину
15,00 грн
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.Технические характеристикиСтруктура: NPNСхема соединения: ОдиночныйМакс. напряжение коллектор-база: 180 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 VМакс.

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры