Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8 (19920)

Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.Технические характеристикиНаименование: NCE01P03SТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 25 nCВремя нарастания (tr): 18 nsВыходная емкость (Cd): 260 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 OhmТип корпуса: SOP8
9,00 грн
Артикул:
bg-19920
Описание

Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.

Технические характеристики

  • Наименование: NCE01P03S
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: P
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
  • Время нарастания (tr): 18 ns
  • Выходная емкость (Cd): 260 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
  • Тип корпуса: SOP8
Подробнее о товаре
bg-19920

Характеристики

Полярность
P
Тип корпуса
SOP8
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
2.5 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.2 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
25 nC
Выходная емкость (Cd)
260 pf
Время нарастания (tr)
18 ns
Наименование
NCE01P03S
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
10,00 грн
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23. Технические характеристики Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 75 В Напряжение эмиттер-база, не...
В корзину
9,00 грн
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current...
В корзину
13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное напряжение...
В корзину
17,00 грн
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Максимальное...
В корзину
5,00 грн
Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: P Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd)...
В корзину
4,00 грн
Транзистор SI2302 sot23 smd N-Channel Mosfet A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт). Технические характеристики SI2302 маркировка A2SHB Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры