Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8 (19920)
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8 (19920)
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8 (19920)
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8 (19920)

Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8 (19920)

Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25шт (19918)
Силовой GaN транзистор SMD INN100W032A Галлий нитрит (20786)
Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.Технические характеристикиНаименование: NCE01P03SТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 25 nCВремя нарастания (tr): 18 nsВыходная емкость (Cd): 260 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 OhmТип корпуса: SOP8
9,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19920
Описание

Транзистор NCE01P03S P-ch 100V 3A SOP8.

Технические характеристики

  • Наименование: NCE01P03S
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: P
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
  • Время нарастания (tr): 18 ns
  • Выходная емкость (Cd): 260 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
  • Тип корпуса: SOP8
Подробнее о товаре
bg-19920

Характеристики

Тип корпуса
SOP8
Полярность
P
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
2.5 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.2 Ohm
Наименование
NCE01P03S
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
25 nC
Время нарастания (tr)
18 ns
Выходная емкость (Cd)
260 pf
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
В корзину
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23 (11744)

3,00 грн
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23. Технические характеристики Наименование: SI2303 Маркировка: A3T Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
В корзину
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)

5,00 грн
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

270,00 грн
Высокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x 6 ммПараметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTПрименение в промышленностиОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
В корзину
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)

13,00 грн
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4...
В корзину
Поделиться
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
В корзину
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)

11,00 грн
2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.12 Максимальное...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
В корзину
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал (12853)

9,00 грн
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

352,00 грн
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напряжение пробоя, высокую частоту переключения и работу при высокой температуре. GaN Systems...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

144,00 грн
GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA) с размерами корпуса 3.2 мм x 2.2 мм.Параметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий...
В корзину
Поделиться
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
В корзину
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)
Транзистор NPN BC847C 5шт (10228)

9,00 грн
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current...
В корзину
Поделиться
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
В корзину
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)

16,00 грн
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Максимальное...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти