Транзистор MOSFET 75N75 76N075 75N075 выпаянный (20943)

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd – Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт |Vds| – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 В |Vgs| – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 В |Vgs(th)| – Пороговое напряжение включения: 4 В |Id| – Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 А Tj – Максимальная температура перехода (канала): 175 °C Qg – Общий заряд затвора: 430 нКл tr – Время нарастания: 208 нс Coss – Выходная ёмкость: 773 пФ Rds(on) – Сопротивление сток-исток во включенном состоянии: 0.0095 Ом Тип корпуса: TO-220, TO-220F1, TO-220F, TO-263
27,00 грн
Артикул:
bg-20943
Описание

Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd – Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт
|Vds| – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 В
|Vgs| – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
|Vgs(th)| – Пороговое напряжение включения: 4 В
|Id| – Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 А
Tj – Максимальная температура перехода (канала): 175 °C
Qg – Общий заряд затвора: 430 нКл
tr – Время нарастания: 208 нс
Coss – Выходная ёмкость: 773 пФ
Rds(on) – Сопротивление сток-исток во включенном состоянии: 0.0095 Ом
Тип корпуса: TO-220, TO-220F1, TO-220F, TO-263

Подробнее о товаре
bg-20943
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
24,00 грн
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование прибора: IRFB3206 Тип транзистора: MOSFET...
3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...
В корзину
14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
23,00 грн
Транзистор 3DD15D является кремниевым NPN транзистором. Предназначен для коммутации силовых цепей, регуляторов, выходных каскадов и высококачественных усилителей. Технические характеристики Type - NPN Vceo - 200V...
В корзину
9,00 грн
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое...
В корзину
13,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры