Транзистор MOSFET 75N75 76N075 75N075 выпаянный (20943)

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd – Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт |Vds| – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 В |Vgs| – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 В |Vgs(th)| – Пороговое напряжение включения: 4 В |Id| – Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 А Tj – Максимальная температура перехода (канала): 175 °C Qg – Общий заряд затвора: 430 нКл tr – Время нарастания: 208 нс Coss – Выходная ёмкость: 773 пФ Rds(on) – Сопротивление сток-исток во включенном состоянии: 0.0095 Ом Тип корпуса: TO-220, TO-220F1, TO-220F, TO-263
27,00 грн
Артикул:
bg-20943
Описание

Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd – Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт
|Vds| – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 В
|Vgs| – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
|Vgs(th)| – Пороговое напряжение включения: 4 В
|Id| – Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 А
Tj – Максимальная температура перехода (канала): 175 °C
Qg – Общий заряд затвора: 430 нКл
tr – Время нарастания: 208 нс
Coss – Выходная ёмкость: 773 пФ
Rds(on) – Сопротивление сток-исток во включенном состоянии: 0.0095 Ом
Тип корпуса: TO-220, TO-220F1, TO-220F, TO-263

Подробнее о товаре
bg-20943
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
18,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
53,00 грн
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247.Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллектор:40А Рассеиваемая мощность:116Вт Корпус:TO247-3 Напряжение затвор - эмиттер:±20В Ток коллектора...
23,00 грн
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: 2SK2370Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
50,00 грн
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C...
В корзину
13,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
16,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
NEW
В корзину
162,00 грн
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220Параметры:Усиленный транзистор - реле с нормально закрытым контактомКрайне высокая частота переключенияНет платы за обратное восстановлениеНизкий заряд затвора,...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры