Транзистор FGA15N120 (20880)

Замена XNS15N120T, IGW15T120F, BT15T120, G15N120D, H15R1202, IHW15N120R2, 15N120HKDТранзистор индукционной плиты FGA15N120 с изолированным затвором IGBTТранзистор FGA15N120 подходит для замены XNS15N120T, IGW15T120F, BT15T120, G15N120D, H15R1202, IHW15N120R2, 15N120HKD.Максимальный рабочий ток: 30 А при t 20ºCНоминальный рабочий ток: 15 А при t 100ºCМаксимальное рабочее напряжение: 1200 ВПодробнее
45,00 грн
Артикул:
bg-20880
Описание
Замена XNS15N120T, IGW15T120F, BT15T120, G15N120D, H15R1202, IHW15N120R2, 15N120HKD

Транзистор индукционной плиты FGA15N120 с изолированным затвором IGBT

Транзистор FGA15N120 подходит для замены XNS15N120T, IGW15T120F, BT15T120, G15N120D, H15R1202, IHW15N120R2, 15N120HKD.

  • Максимальный рабочий ток: 30 А при t 20ºC
  • Номинальный рабочий ток: 15 А при t 100ºC
  • Максимальное рабочее напряжение: 1200 В
Подробнее
Подробнее о товаре
bg-20880
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
9,00 грн
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение: 75 ВТок: 80 АRDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 АСверхнизкое сопротивлениеИсключительные возможности DV /...
В корзину
3,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
89,00 грн
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FGH60N60SMDТип управляющего канала: N-ChannelПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение...
В корзину
20,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
13,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
18,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры