Силовой GaN транзистор Галлий нитрид SMD INN100FQ016A (20864)

INN100FQ016A — это усиленный транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience, предназначенный для высокочастотных приложений.Основные характеристики:Напряжение пробоя: 100 ВМаксимальный ток утечки: 100 АМаксимальное сопротивление при включенном состоянии (RDS(on)): 1,8 мОмТипичный заряд на входе (QG): 22 нКлТипичный заряд на выходе (QOSS): 125 нКлРазмеры корпуса: 4,0 мм x 6,0 ммОсобенности:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд на входеОчень низкое сопротивление при включенном состоянииКомпактный корпусПрименение:Высокочастотные DC-DC преобразователиТочки нагрузкиRF-обработка сигналовЗарядные устройства для ПКМобильные аккумуляторыДрайверы моторовЭтот транзистор обеспечивает высокую эффективность и компактность, что делает его идеальным выбором для современных электронных устройств.Для более подробной информации и технических характеристик рекомендуется ознакомиться с официальным даташитом: INN100FQ016A