Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
NEW
Силовой GaN транзистор SMD INN150LA070A Галлий нитрит (20784)
Силовой GaN транзистор SMD INN150LA070A Галлий нитрит (20784)

Силовой GaN транзистор SMD INN150LA070A Галлий нитрит (20784)

Силовой GaN транзистор SMD INN650D080BS Галлий нитрит (20783)
Силовой GaN транзистор SMD INN150FQ032A Галлий нитрит(20785)
GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA) с размерами корпуса 3.2 мм x 2.2 мм.Параметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд затвораСверхнизкое сопротивлениеОчень маленький размер упаковкиНулевой сбор за обратное восстановлениеСинхронное выпрямлениеАудио класса DВысокочастотный DC-DC преобразовательБазовая станция связиПриводы двигателейТехническая спецификация
144,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-20784
Описание

GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA) с размерами корпуса 3.2 мм x 2.2 мм.

Параметры:

  • Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMT
  • Очень низкий заряд затвора
  • Сверхнизкое сопротивление
  • Очень маленький размер упаковки
  • Нулевой сбор за обратное восстановление
  • Синхронное выпрямление
  • Аудио класса D
  • Высокочастотный DC-DC преобразователь
  • Базовая станция связи
  • Приводы двигателей

Техническая спецификация

Подробнее о товаре
bg-20784
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
NEW
В корзину

270,00 грн
Высокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x 6 ммПараметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTПрименение в промышленностиОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

144,00 грн
650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 мм x 8 ммПараметры:Транзистор режима улучшения - нормально выключенный выключатель...
В корзину
Поделиться
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
В корзину
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)
Транзистор N-канал 2N7002 60V 0.2A SOT-23 10шт (14217)

11,00 грн
2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.12 Максимальное...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

236,00 грн
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...
В корзину
Поделиться
В корзину

15,00 грн
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 G1 160V 600mA SOT23 25 штук.Технические характеристикиСтруктура: NPNСхема соединения: ОдиночныйМакс. напряжение коллектор-база: 180 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 160 VМакс.
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
В корзину
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)

13,00 грн
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4...
В корзину
Поделиться
NEW
В корзину

352,00 грн
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напряжение пробоя, высокую частоту переключения и работу при высокой температуре. GaN Systems...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти