Силовой GaN транзистор SMD INN650D080BS Галлий нитрит (20783)

650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 мм x 8 ммПараметры:Транзистор режима улучшения - нормально выключенный выключатель питанияСверхвысокая частота переключенияНет платы за обратное восстановлениеНизкий заряд затвора, низкий выходной зарядСертифицировано для промышленного применения в соответствии со стандартами JEDECЗащита от электростатического разрядаRoHS, без содержания свинца, соответствует REACHПреобразователи переменного тока в постоянныйDC-DC преобразователиBCM/DCM тотемный столб PFCБыстрая зарядка аккумулятораВысокая плотность преобразования энергииВысокоэффективное преобразование энергииТехническая сертификация
144,00 грн
Артикул:
bg-20783
Описание

650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 мм x 8 мм

Параметры:

  • Транзистор режима улучшения - нормально выключенный выключатель питания
  • Сверхвысокая частота переключения
  • Нет платы за обратное восстановление
  • Низкий заряд затвора, низкий выходной заряд
  • Сертифицировано для промышленного применения в соответствии со стандартами JEDEC
  • Защита от электростатического разряда
  • RoHS, без содержания свинца, соответствует REACH
  • Преобразователи переменного тока в постоянный
  • DC-DC преобразователи
  • BCM/DCM тотемный столб PFC
  • Быстрая зарядка аккумулятора
  • Высокая плотность преобразования энергии
  • Высокоэффективное преобразование энергии

Техническая сертификация

Подробнее о товаре
bg-20783
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
9,00 грн
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое...
В корзину
13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное...
В корзину
144,00 грн
GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA) с размерами корпуса 3.2 мм x 2.2 мм.Параметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий...
В корзину
3,00 грн
Полевой МОП транзистор Mosfet SI2303 SMD SOT23. Технические характеристики Наименование: SI2303 Маркировка: A3T Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно...
9,00 грн
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current...
В корзину
13,00 грн
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры