Силовой GaN транзистор SMD INN650D080BS Галлий нитрит (20783)

650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 мм x 8 ммПараметры:Транзистор режима улучшения - нормально выключенный выключатель питанияСверхвысокая частота переключенияНет платы за обратное восстановлениеНизкий заряд затвора, низкий выходной зарядСертифицировано для промышленного применения в соответствии со стандартами JEDECЗащита от электростатического разрядаRoHS, без содержания свинца, соответствует REACHПреобразователи переменного тока в постоянныйDC-DC преобразователиBCM/DCM тотемный столб PFCБыстрая зарядка аккумулятораВысокая плотность преобразования энергииВысокоэффективное преобразование энергииТехническая сертификация
144,00 грн
Артикул:
bg-20783
Описание

650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 мм x 8 мм

Параметры:

  • Транзистор режима улучшения - нормально выключенный выключатель питания
  • Сверхвысокая частота переключения
  • Нет платы за обратное восстановление
  • Низкий заряд затвора, низкий выходной заряд
  • Сертифицировано для промышленного применения в соответствии со стандартами JEDEC
  • Защита от электростатического разряда
  • RoHS, без содержания свинца, соответствует REACH
  • Преобразователи переменного тока в постоянный
  • DC-DC преобразователи
  • BCM/DCM тотемный столб PFC
  • Быстрая зарядка аккумулятора
  • Высокая плотность преобразования энергии
  • Высокоэффективное преобразование энергии

Техническая сертификация

Подробнее о товаре
bg-20783
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
5,00 грн
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2...
В корзину
9,00 грн
Полевой транзистор Mosfet APM4953 SMD P-канал. Технические характеристики Наименование прибора: APM4953 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 Предельно допустимое...
NEW
В корзину
270,00 грн
Высокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x 6 ммПараметры:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTПрименение в промышленностиОчень низкий заряд...
В корзину
13,00 грн
Транзистор BSS84 P-канал 50В 130мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.13 Максимальное...
В корзину
11,00 грн
2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.12 Максимальное...
9,00 грн
Транзистор NPN BC847C. На транзисторе маркировка - 1G.Технические характеристикиПолярность транзистора: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 ВРассеиваемая мощность: 250 мВтDC Collector Current: 100 мАDC Current...
NEW
В корзину
236,00 грн
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размером корпуса 3,5 мм x 2,13 мм.Параметри:Технология GaN-on-Silicon E-mode HEMTОчень низкий заряд...
В корзину
5,00 грн
Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: P Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd)...
В корзину
13,00 грн
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры