Фильтр
Цена
грн грн
Производители
Фильтр

Транзисторы навесные

58,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
24,00 грн
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование прибора: IRFB3206 Тип транзистора: MOSFET...
9,00 грн
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 100 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В Максимально...
В корзину
12,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...
В корзину
12,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
8,00 грн
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое...
В корзину
9,00 грн
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:...
18,00 грн
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V...
В корзину
15,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
В корзину
18,00 грн
IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]. Транзистор рабочий, новый, выпаянный с готовых плат.Технические параметрыСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток...
В корзину
39,00 грн
Высокоскоростной транзистор RJH60F5 - используются в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А. По...
В корзину
15,00 грн
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.Наименование: IRF3710Тип транзистора:...
15,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
49,00 грн
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C...

Транзисторы навесные, часто также называемые "транзисторы с отверстиями" или "проволочные транзисторы", представляют собой тип транзисторов, которые устанавливаются на печатную плату через отверстия и затем паяются с обеих сторон платы. Они широко используются в электронике для усиления сигналов, коммутации и других целей. Вот основные аспекты их работы и применения:

Основные типы транзисторов навесных:

  1. Биполярные транзисторы (BJT):

    • Наиболее распространенный тип транзисторов.
    • Включают NPN и PNP транзисторы.
    • Используются для усиления сигналов, коммутации и стабилизации напряжения.
  2. Полевые транзисторы (FET):

    • Включают JFET (транзисторы с полевым эффектом на полупроводниковом канале) и MOSFET (транзисторы с полевым эффектом на металлокислородном полупроводнике).
    • Используются для управления током и напряжением, высокоскоростных коммутаций и других приложений, требующих низкого сопротивления и высокой скорости работы.

Особенности транзисторов навесных:

  • Монтаж через отверстия: Транзисторы навесные имеют три вывода (эмиттер, коллектор и база для BJT или исток, сток и затвор для FET), которые проходят через отверстия в печатной плате.

  • Пайка с обеих сторон платы: После установки транзистора на плату, его выводы паются с обеих сторон для обеспечения надежного электрического контакта и механической прочности.

  • Применение в различных устройствах: Транзисторы навесные используются в усилителях мощности, источниках питания, радиопередатчиках, цифровых и аналоговых схемах, а также в микроконтроллерах и многих других электронных устройствах.

Преимущества транзисторов навесных:

  • Надежность: Хороший теплоотвод благодаря монтажу на печатную плату.
  • Широкий выбор типов и параметров: Позволяют выбрать транзистор с нужными характеристиками для конкретного приложения.
  • Относительно простая установка: Могут быть установлены вручную или автоматически на производственных линиях.

Транзисторы навесные остаются важными элементами в современной электронике благодаря своей универсальности и возможности работы в широком диапазоне условий и приложений. Их использование варьируется от простых усилителей до сложных цифровых источников сигналов, обеспечивая высокую производительность и надежность в различных устройствах и системах.

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры